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SGI02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGI02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 40 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGI02N120XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IXTP02N120P	文件：315.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedfo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP02N120P	文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTY02N120P	文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTY02N120P	文件：298.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SGB02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGB02N120	文件：439.41 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technologyLowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGD02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGD02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGD02N120	文件：311.58 Kbytes Page：3 Pages	FastIGBTinNPT-technology DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SGP02N120	文件：315.37 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Fastswitching ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·Motorcontrols ·Inverter ·SMPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SGP02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGW02N120	文件：813.99 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGW02N120	文件：312.21 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKB02N120	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforfrequencyinvertersforwashingmachi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKB02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
SGI02N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SGI02N120供应商更新时间2024-6-8 15:30:00

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