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SGH80N60UFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 195W TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
80N60A	文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
80N60B	文件：45.33 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FGH80N60FD	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V,80AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FDTU	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V,80AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G80N60UFD	文件：645.83 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXGK80N60A	文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSK80N60B	文件：46.76 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBTShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepow	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSN80N60A	文件：71.97 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSX80N60B	文件：46.76 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBTShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepow	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SGF80N60UF	文件：567.62 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowSa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60	文件：557.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UF	文件：557.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UFD	文件：645.83 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UFDTU	文件：701.15 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHG80N60E	文件：150.78 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG80N60E	文件：207.69 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG80N60EF	文件：201.17 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
SGH80N60UFTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，40A
开关能量：
570µJ（开），590µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/90ns
测试条件：
300V，40A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 80A 195W TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	SGH80N60UFTU	ON	1503+	TO-3P	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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