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SGH80N60UFD中文资料PDF规格书

SGH80N60UFD
厂商型号

SGH80N60UFD

参数属性

SGH80N60UFD 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 195W TO3P

功能描述

Ultrafast IGBT

文件大小

645.83 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 13:10:00

SGH80N60UFD规格书详情

General Description

Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UFD series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A

• High input impedance

• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (typ.)

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

产品属性

  • 产品编号:

    SGH80N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    570µJ(开),590µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/90ns

  • 测试条件:

    300V,40A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 195W TO3P

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