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IXSK80N60B	文件：46.76 Kbytes Page：2 Pages	High Current IGBT Short Circuit SOA Capability Features •Internationalstandardpackages •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepow	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSK80N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 160A 500W TO264	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
80N60A	文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
80N60B	文件：45.33 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FGH80N60FD	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V,80AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FDTU	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V,80AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G80N60UFD	文件：645.83 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXGK80N60A	文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSN80N60A	文件：71.97 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSX80N60B	文件：46.76 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBTShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepow	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SGF80N60UF	文件：567.62 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowSa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60	文件：557.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UF	文件：557.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UFD	文件：645.83 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UFDTU	文件：701.15 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHG80N60E	文件：150.78 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG80N60E	文件：207.69 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG80N60EF	文件：201.17 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
IXSK80N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，80A
开关能量：
4.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/140ns
测试条件：
480V，80A，2.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264AA（IXSK）
描述：
IGBT 600V 160A 500W TO264

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXSK80N60B	IXYS	08+(pbfree)	TO-264	8866		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IXSK80N60B	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXSK80N60B	IXYS	18+	TO-3PL	2050	公司大量全新原装正品随时可以发货	询价
深圳市兴灿科技有限公司	IXSK80N60B	IXYS	23+	TO-3PL	267		询价
深圳兆威电子有限公司	IXSK80N60B	IXYS/艾赛斯	23+	TO-264	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	IXSK80N60B	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXSK80N60B	IXYS	22+	TO264AA(IXSK)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IXSK80N60B	IXYS	21+	TO264AA(IXSK)	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXSK80N60B	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	IXSK80N60B	IXYS	2022+	TO-264AA(IXSK)	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

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