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深圳市向鸿伟业电子有限公司

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深圳市向鸿伟业电子有限公司

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SGH30N60RUFDTU

FAIRCHILD/仙童TO-3P

80000

2410+

原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.

深圳市昂芯微科技有限公司

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深圳市昂芯微科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

ONNA

6800

23+

只做原装正品现货

深圳市浩睿泽电子科技有限公司

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深圳市浩睿泽电子科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

onsemi/安森美TO-3P

4500

新批次

深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

onsemi(安森美)TO-3P

1224

23+

原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

深圳市瑞卓芯科技有限公司

10年 留言

深圳市瑞卓芯科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

ON/安森美SMD

9000

22+

原装正品

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

仙童正品TO-3PN

11200

原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

深圳市纳立科技有限公司

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深圳市纳立科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

1983

三年内

纳立只做原装正品13590203865

深圳市兴灿科技有限公司

8年 留言

深圳市兴灿科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

ON/安森美TO-3P-3

25500

23+

授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售

深圳市星佑电子有限公司

16年 留言

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SGH30N60RUFDTU

SMG原厂原装

823

05+

只做全新原装真实现货供应

中科航电（深圳）电子集团有限公司

10年 留言

中科航电（深圳）电子集团有限公司

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SGH30N60RUFDTU

ONTO-3P

699839

集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规

深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

Fairchild/ONTO3PN

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市一线半导体有限公司

15年 留言

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SGH30N60RUFDTU

3000

自己现货

深圳市百域芯科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

ON/安森美SMD

30000

21+

百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

深圳市国宇半导体科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

FAIRCHILD仙童TO-3P

10000

23+

公司只做原装正品

深圳市一线半导体有限公司

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SGH30N60RUFDTU

FAI

1620

深圳市百纳智芯科技有限公司

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SGH30N60RUFDTU

ONN/A

6000

2021

深圳市瑞新盛科技有限公司

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    深圳市福田区振兴路101号华匀大厦一栋二楼219

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SGH30N60RUFDTU

FAIRCHILDNA

20000

原装正品

深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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SGH30N60RUFDTU

Fairchild仙童TO-3P

25000

22+

只做原装进口现货,专注配单

深圳市赛美科科技有限公司

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深圳市赛美科科技有限公司

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    雷小姐 朱先生

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SGH30N60RUFDTU

Fairchild原装

12673

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市跃创芯科技有限公司

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    李小姐

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    深圳市福田区福田街道福山社区彩田路2010号中深花园B1008M15

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SGH30N60RUFDTU

Fairchild仙童TO-3P

25000

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库存相关

SGH30N60RUFDTU图片

SGH30N60RUFDTU价格

SGH30N60RUFDTU价格：￥23.4424品牌：FAIRCHILD

生产厂家品牌为FAIRCHILD的SGH30N60RUFDTU多少钱，想知道SGH30N60RUFDTU价格是多少？参考价：￥23.4424。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SGH30N60RUFDTU批发价格及采购报价，SGH30N60RUFDTU销售排行榜及行情走势，SGH30N60RUFDTU报价。

SGH30N60RUFDTU中文资料Alldatasheet PDF

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SGH30N60RUFDTU功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    SGH30N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装：

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，30A

  • 开关能量：

    919µJ（开），814µJ（关）

  • 输入类型：

    标准

  • 25°C 时 Td（开/关）值：

    30ns/54ns

  • 测试条件：

    300V，30A，7 欧姆，15V

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供应商器件封装：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 235W TO3P

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