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NVMFWS003N10MC	文件：138.77 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 3.1 m, 169 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •WettableFlankProduct •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree,BerylliumFreeandareRoHS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFWS003N10MCT1G	文件：138.77 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 3.1 m, 169 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •WettableFlankProduct •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree,BerylliumFreeandareRoHS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NVMFWS003N10MC

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MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 3.1 m, 169 A

Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •WettableFlankProduct •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree,BerylliumFreeandareRoHS

ONSEMION Semiconductor

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MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 3.1 m, 169 A

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深圳市华博特电子有限公司	NVMFWS003N10MCT1G	onsemi	23/22+	NA	9000	代理渠道.实单必成	询价
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更多NVMFWS003N10MC供应商更新时间2024-5-17 16:01:00

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