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NVMFWS2D3P04M8LT1G	文件：278.61 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 2.2 m, -222 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •HighCurrentCapability •AvalancheEnergySpecified •NVMFWS2D3P04M8L−WettableFlanksProduct •NVMPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapab	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVMFWS2D3P04M8LT1G

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MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 2.2 m, -222 A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •HighCurrentCapability •AvalancheEnergySpecified •NVMFWS2D3P04M8L−WettableFlanksProduct •NVMPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapab

ONSEMION Semiconductor

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MOSFET-Power,SingleP-Channel-40V,2.2m,-222A

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