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NVMFWS2D5N08XT1G	文件：164.5 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 2.55 m, 156 A Features •LowQRR,SoftRecoveryBodyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •SynchronousRectificati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS2D5N08XT1G	文件：146.56 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL80V,2.1m,181A Features •LowQRR,SoftRecoveryBodyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •SynchronousRectification(SR)inDC−DCandAC−DC •Primary	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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文件：164.5 Kbytes

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MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 2.55 m, 156 A

Features •LowQRR,SoftRecoveryBodyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •SynchronousRectificati

ONSEMION Semiconductor

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MOSFET–Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL80V,2.1m,181A

Features •LowQRR,SoftRecoveryBodyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •SynchronousRectification(SR)inDC−DCandAC−DC •Primary

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