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NP180N04TUJ	文件：220.58 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP180N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP180N04TUJ-E1-AY	文件：220.58 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP180N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUJ-E2-AY	文件：220.58 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP180N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUJ_15	文件：220.58 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUJ-E2-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUK	文件：253.03 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplic	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUK	文件：759.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ･LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
WSK180N04	文件：671.28 Kbytes Page：7 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK

详细参数

型号：
NP180N04TUJ
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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