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NP180N04TUJ-E1-AY中文资料PDF规格书
NP180N04TUJ-E1-AY规格书详情
Description
The NP180N04TUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
• Low on-state resistance
⎯ RDS(on) = 1.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 90 A)
• Low Ciss: Ciss = 9500 pF TYP. (VDS = 25 V)
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
产品属性
- 型号：
NP180N04TUJ-E1-AY
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
21+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO263 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
VB |
2019 |
TO263 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
TO-263-7 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263-7 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Renesas |
23+ |
TO-263-7 |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263-7 |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263-7 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
TO-263-7 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
