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NE4211M01-T1中文资料PDF规格书

NE4211M01-T1
厂商型号

NE4211M01-T1

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

206.81 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 10:14:00

NE4211M01-T1规格书详情

FEATURES

• Super low noise figure & associated gain:

NF = 0.75 TYP., Ga = 12 dB TYP. @ f = 12 GHz

NF = 0.4 TYP., Ga = 16 dB TYP. @ f = 4 GHz

• 6-pin super minimold package

• Gate width: Wg = 160 mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
SOT26
3000
原装正品,支持实单
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NEC
21+
SOT26
10000
原装现货假一罚十
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NEC
22+
SOT26
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2022+
18890
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NEC
2008++
SOT-363SOT-323-6
17070
新进库存/原装
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NEC
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SOT26
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SOT363
50000
原装现货
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23+
SOT363
50000
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