MRF8372GR1_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-美高森美

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厂家型号：
MRF8372GR1
制造商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装：
带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-6-10 15:00:00

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原厂料号：MRF8372GR1品牌：Microsemi Corporation

资料说明：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MRF8372GR1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商MICROSEMI/美高森美生产封装8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的MRF8372GR1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
mrf8372gr1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
资料说明：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

产品属性

类型
描述
产品编号：
MRF8372GR1
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
频率 - 跃迁：
870MHz
增益：
8dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值：
2.2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

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