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IXTT30N60L2	文件：147.18 Kbytes Page：5 Pages	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA LinearL2™PowerMOSFETwithextendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode Avalancherated Features •Designedforlinearoperation •Internationalstandardpackages •Avalancherated •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •GuaranteedFBSOAat75°C Applications •Solid	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH30N60L2	文件：147.18 Kbytes Page：5 Pages	LinearL2PowerMOSFETwithextendedFBSOA LinearL2™PowerMOSFETwithextendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode Avalancherated Features •Designedforlinearoperation •Internationalstandardpackages •Avalancherated •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •GuaranteedFBSOAat75°C Applications •Solid	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH30N60L2	文件：372.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NGTB30N60L2WG	文件：765.89 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IXTT30N60L2
功能描述：
MOSFET 30 Amps 600V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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