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NGTB30N60L2WG

文件：765.89 Kbytes

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N-Channel IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGTB30N60L2WG

文件：100 bytes

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包装：管件 封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 30A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

IXTH30N60L2

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LinearL2PowerMOSFETwithextendedFBSOA

LinearL2™PowerMOSFETwithextendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode Avalancherated Features •Designedforlinearoperation •Internationalstandardpackages •Avalancherated •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •GuaranteedFBSOAat75°C Applications •Solid

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXTH30N60L2

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTQ30N60L2

文件：147.18 Kbytes

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LinearL2PowerMOSFETwithextendedFBSOA

LinearL2™PowerMOSFETwithextendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode Avalancherated Features •Designedforlinearoperation •Internationalstandardpackages •Avalancherated •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •GuaranteedFBSOAat75°C Applications •Solid

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXTQ30N60L2

文件：301.46 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTT30N60L2

文件：147.18 Kbytes

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LinearL2PowerMOSFETwithextendedFBSOA

LinearL2™PowerMOSFETwithextendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode Avalancherated Features •Designedforlinearoperation •Internationalstandardpackages •Avalancherated •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •GuaranteedFBSOAat75°C Applications •Solid

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号：

    NGTB30N60L2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装：

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，30A

  • 开关能量：

    310µJ（开），1.14mJ（关）

  • 输入类型：

    标准

  • 25°C 时 Td（开/关）值：

    100ns/390ns

  • 测试条件：

    300V，30A，30 欧姆，15V

  • 工作温度：

    175°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-247-3

  • 供应商器件封装：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 30A TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
中科航电(深圳)半导体技术有限公司
NGTB30N60L2WG
ONSemiconductor
19+
TO-247-3
56800
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深圳市纳立科技有限公司
NGTB30N60L2WG
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1983
纳立只做原装正品13590203865
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深圳市科雨电子有限公司
NGTB30N60L2WG
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TO247-3
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深圳市达恩科技有限公司
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进口原装 假一罚十 现货
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深圳市鑫炜纳电子有限公司
NGTB30N60L2WG
ON/安森美
2022+
500
原厂原装,假一罚十
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深圳市河锋鑫科技有限公司
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor
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TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
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深圳市宝隆宏业科技有限公司
NGTB30N60L2WG
ON/安森美
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TO-247
35000
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深圳市英瑞芯科技有限公司
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深圳市盈盛科创科技有限公司
NGTB30N60L2WG
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
 询价
易创佳业科技（深圳）有限公司
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor
23+
TO2473
9000
原装正品，支持实单
 询价
更多NGTB30N60L2WG供应商 更新时间2024-6-18 14:12:00

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