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IXTH30N60L2	文件：147.18 Kbytes Page：5 Pages	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA LinearL2™PowerMOSFETwithextendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode Avalancherated Features •Designedforlinearoperation •Internationalstandardpackages •Avalancherated •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •GuaranteedFBSOAat75°C Applications •Solid	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH30N60L2	文件：372.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NGTB30N60L2WG	文件：765.89 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTH30N60L2	IXYS/艾赛斯	17+	TO-247	31518	原装正品可含税交易	询价
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