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IXTT74N20P	文件：175.67 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFC74N20P	文件：125.74 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFC74N20P	文件：323.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH74N20	文件：372.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=74A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH74N20	文件：133.86 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOS™Family	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFH74N20P	文件：372.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=74A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT74N20	文件：133.86 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOS™Family	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTK74N20	文件：320.44 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentMegaMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ74N20P	文件：175.67 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXTT74N20P
功能描述：
MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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