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IXGR48N60B3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXGR48N60B3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXGR48N60B3
功能描述：
IGBT 晶体管 48 Amps 600V 1.7 Rds
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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