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IXDH30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDH30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDH30N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDH30N120D1	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDH30N120D1	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDH30N120D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FGA30N120FTD	文件：614.76 Kbytes Page：9 Pages	1200V,30ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA30N120FTDTU	文件：614.76 Kbytes Page：9 Pages	1200V,30ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N120FTD	文件：588.2 Kbytes Page：9 Pages	Fieldstoptrenchtechnology GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N120FTDTU	文件：588.2 Kbytes Page：9 Pages	Fieldstoptrenchtechnology GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW30N120H	文件：559.44 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW30N120HD	文件：651.14 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G30N120CN	文件：113.21 Kbytes Page：8 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GW30N120KD	文件：359.23 Kbytes Page：13 Pages	30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GWA30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH™p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
HGTG30N120CN	文件：40.5 Kbytes Page：5 Pages	30A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG30N120D2isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarie	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG30N120CN	文件：81.32 Kbytes Page：7 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG30N120CN	文件：113.21 Kbytes Page：8 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HIH30N120TF	文件：892.05 Kbytes Page：8 Pages	1200VFieldStopTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IHW30N120R	文件：977.75 Kbytes Page：12 Pages	IGBTwithmonolithicbodydiodeforsoftswitchingApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
IXDH30N120
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，30A
开关能量：
4.6mJ（开），3.4mJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
600V，30A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXDH30N120供应商更新时间2024-5-2 15:00:00

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