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IXGT20N120B	文件：574.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features •HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD •Lowswitchinglosses,	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
MGW20N120	文件：231.25 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MGW20N120	文件：139.29 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY20N120D	文件：171.79 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY20N120D	文件：254.76 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
NGTB20N120IHLWG	文件：175.53 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120IHRWG	文件：182.67 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120IHSWG	文件：184.12 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120IHWG	文件：114.7 Kbytes Page：7 Pages	IGBT-InductionCooking	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120LWG	文件：178.19 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SCT20N120	文件：499.56 Kbytes Page：13 Pages	Veryhighoperatingtemperaturecapability Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETisproducedexploitingtheadvanced,innovativepropertiesofwidebandgapmaterials.Thisresultsinunsurpassedon-resistanceperunitareaandverygoodswitchingperformancealmostindependentoftemperature.Theoutstandingthermalpropertiesof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SCT20N120AG	文件：487.52 Kbytes Page：13 Pages	Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,20A,189m廓(typ.,TJ=150째C),inanHiP247package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SCT20N120H	文件：369.88 Kbytes Page：2 Pages	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·EasytoParallelandSimpletoDrive ·AvalancheRuggedness APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageDC/DCConverters ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SGH20N120RUF	文件：505.52 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH20N120RUFD	文件：561 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IXDA20N120AS-TUBE
功能描述：
IGBT 晶体管 20 Amps 1200V
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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