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NGTB20N120IHSWG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
NGTB20N120IHSWG规格书详情
NGTB20N120IHSWG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGTB20N120IHSWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
NGTB20N120IHSWG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,20A
- 开关能量:
650µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/160ns
- 测试条件:
600V,20A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 20A TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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