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20N120C	文件：820.86 Kbytes Page：9 Pages	Generalpurposeinverters	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
BRG20N120D	文件：769.26 Kbytes Page：6 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
FGA20N120FTD	文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages	1200V,20ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA20N120FTDTU	文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages	1200V,20ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G20N120	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	34A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG20N120E2isaMOSgated,highvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvari	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：93.09 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：97.79 Kbytes Page：8 Pages	45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETs andbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlos	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：83.76 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG20N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGH20N120A	文件：1.01653 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor Features •Lowsaturationvoltage,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15V •Highinputimpedance •Fieldstoptrenchtechnologyoffersuperior conductionandswitchingperformances, •Highspeedswitching Applications •InductionheatingandMicrowaveoven •Softswitchingapplications	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HGTG20N120	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	34A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG20N120E2isaMOSgated,highvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvari	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG20N120CN	文件：83.76 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG20N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG20N120CND	文件：93.09 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG20N120CND	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HM20N120AB	文件：804.31 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N120T	文件：968.93 Kbytes Page：9 Pages	H&MNPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N120TB	文件：813.96 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IHW20N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW20N120R	文件：358.29 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyoffers	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IXDA20N120AS	文件：54.05 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBT HighVoltageIGBT ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●highswitchingspeed ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●Internationalstandardp	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
IXDA20N120AS-TUBE
功能描述：
IGBT 晶体管 20 Amps 1200V
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IXDA20N120AS-TUBE供应商更新时间2024-4-29 15:30:00

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