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FTC3303I	文件：278.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GI3303	文件：286.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GPD-3303D	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPD3303S	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPS-3303	文件：142.09 Kbytes Page：1 Pages	195WATTLINEAR	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
GPS-3303	文件：127.58 Kbytes Page：1 Pages	MULTIPLEOUTPUTLINEARD.C.POWERSUPPLY	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
IIRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR/U3303	文件：6.23075 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR/U3303	文件：1.89695 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR/U3303PBF	文件：3.84104 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303	文件：1.89695 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303PBF	文件：3.84104 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303PBF	文件：3.86139 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303PBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303PBF	文件：251.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303TRL	文件：6.23075 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303TRLPBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303TRPBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRLU3303PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 17.3nC LogLvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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