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IRLZ44	文件：209.71 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET N-CHANNELLOGICLEVELMOSFET	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRLZ44	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDrive •RDS(on)SpecifiedatVGS=4V&5V •17	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44	文件：1.62981 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44	文件：885.65 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44	文件：1.7418 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44	文件：1.7418 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44	文件：240.15 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRLZ44	文件：1.81737 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44_V01	文件：885.65 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44N	文件：369.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44NL	文件：178.43 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44NPBF	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET HEXFET®PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44NS	文件：178.43 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44NSPBF	文件：336.77 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44PBF	文件：1.62981 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44S	文件：282.06 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDriv	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLZ44S	文件：416.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44S	文件：483.54 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44S_V01	文件：483.54 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ44SPBF	文件：416.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRLZ44
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRLZ44	SAM	05+	原厂原装	6004	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRLZ44	IR	23+	TO220	35890		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IRLZ44	IR	05+	TO-220	57		询价
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更多IRLZ44供应商更新时间2024-5-8 19:33:00

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