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AOK30B60D	文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	TO247PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK30B60DL	文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	TO247PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AUIRGS30B60K	文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGB30B60K	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB30B60KPBF	文件：323.09 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP30B60KD-E	文件：603.76 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-247ADPackage Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP30B60KD-EP	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-247ADPackage •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP30B60KD-EPBF	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGS30B60	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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MBR30B60CTH	文件：133.17 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
MBR30B60FCTH	文件：133.17 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT

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更多IRGB30B60S供应商更新时间2024-5-3 10:00:00

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