选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220 |
161500 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
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IRD2-PAK |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
18401 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO263 |
8600 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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IRTO-263 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO263 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRD2-PAK |
65400 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-262 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9865 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
6000 |
20+原装正品 |
大量现货,免费发样。 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1136 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 263 |
161357 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
300 |
18+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
IRL3803采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IRL3803STRLPBF-CUTTAPE价格
IRL3803STRLPBF-CUTTAPE价格:¥11.1052品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRL3803STRLPBF-CUTTAPE多少钱,想知道IRL3803STRLPBF-CUTTAPE价格是多少?参考价:¥11.1052。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL3803STRLPBF-CUTTAPE批发价格及采购报价,IRL3803STRLPBF-CUTTAPE销售排行榜及行情走势,IRL3803STRLPBF-CUTTAPE报价。
IRL3803STRRPBF资讯
IRL3803STRRPBF
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IRL3803STRRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3803功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803L功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803PBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803S功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL3803SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件