IRG7PH42UD-EP_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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原厂料号:IRG7PH42UD-EP品牌:Infineon Technologies

资料说明:IGBT 1200V 85A 320W TO247AD

IRG7PH42UD-EP是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-247-3的IRG7PH42UD-EP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    irg7ph42ud-ep

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 资料说明:

    IGBT 1200V 85A 320W TO247AD

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IRG7PH42UD-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    2.11mJ(开),1.18mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/229ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 85A 320W TO247AD

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