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IRG4RC20FTRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4RC20FTRLPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4RC20F	文件：264.06 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.82V,@Vge=15V,Ic=12A) FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. •IndustrystandardTO-252AApackage •Co	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC20FPBF	文件：399.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. •IndustrystandardTO-252AApackage. •Combinessverylo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4RC20FTRL
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
开关能量：
190µJ（开），920µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/194ns
测试条件：
480V，12A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 22A 66W DPAK

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