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IRG7PH42U-EP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange

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IRG7PH42U-EP

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 90A 385W TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

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IRG7PH42UD-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG7PH42UDPBF

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IRG7PH42UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG7PH42UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange

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产品属性

  • 产品编号:

    IRG7PH42U-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    2.11mJ(开),1.18mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/229ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 90A 385W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG7PH42U-EP供应商 更新时间2024-5-3 14:04:00