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IRG7PH50K10D-EPBF	文件：550.3 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses 10µsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature150°C PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient Benefits HighefficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharinginPa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG7PH50K10DPBF	文件：546.6 Kbytes Page：12 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG7PH50K10D-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，35A
开关能量：
2.3mJ（开），1.6mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
90ns/340ns
测试条件：
600V，35A，5 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 90A 400W TO247AD

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