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IRG4RC20FPBF中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRG4RC20FPBF |
| 参数属性 | IRG4RC20FPBF 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 文件大小 |
399.38 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-14 22:30:00 |
IRG4RC20FPBF规格书详情
Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs.
• Industry standard TO-252AA package.
• Combiness very low VCE(on) with low switching losses
• Lead-Free
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency
• Optimized for specific application conditions
• High power denisty and current rating
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC20FPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
- 开关能量：
190µJ（开），920µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/194ns
- 测试条件：
480V，12A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 22A 66W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-252 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
1213+ |
TO252 |
4179 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR/INFINEON |
22+21+ |
TO-252 |
6499 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
8880 |
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询价 | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | ||
IR |
08+ |
TO-252 |
1755 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
DPak |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
TO-252 |
28821 |
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询价 |
