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IRG4RC10中文资料PDF规格书

IRG4RC10
厂商型号

IRG4RC10

参数属性

IRG4RC10 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

文件大小

134.98 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-11 20:00:00

IRG4RC10规格书详情

Features

• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3

• Industry standard TO-252AA package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4RC10KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.62V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    250µJ(开),140µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    49ns/97ns

  • 测试条件:

    480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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