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IRG4PSC71UD中文资料PDF规格书

IRG4PSC71UD
厂商型号

IRG4PSC71UD

参数属性

IRG4PSC71UD 封装/外壳为TO-274AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 85A 350W SUPER247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)

文件大小

253.69 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 9:48:00

IRG4PSC71UD规格书详情

UltraFast CoPack IGBT

Features

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations

• IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry-benchmark Super-247 package with higher power handling capability compared to same footprint TO-247

• Creepage distance increased to 5.35mm

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• Maximum power density, twice the power handling of TO-247, less space than TO-264

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs

• Cost and space saving in designs that require multiple, paralleled IGBTs

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PSC71UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    3.26mJ(开),2.27mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    90ns/245ns

  • 测试条件:

    480V,60A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-274AA

  • 供应商器件封装:

    SUPER-247™(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 600V 85A 350W SUPER247

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