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IRG4RC10UD	文件：191.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UDPBF_15	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UDTRLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4RC10UDTRP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4RC10	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10K	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10KD	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10KDPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10KPBF	文件：188.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10S	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10SD	文件：189.76 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. •Tightparameterdistribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. •Tightparameterdistribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10U	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage •Lead-Free Benefits	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4RC10UD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，5A
开关能量：
140µJ（开），120µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/87ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

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更多IRG4RC10UD供应商更新时间2024-4-28 18:06:00

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