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IRG4IBC30FD	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30FD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4IBC30FDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4IBC30F	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30KD	文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：347.66 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30S	文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：197.92 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30UD	文件：227.86 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighter	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：322.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighte	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：324.48 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30W	文件：160.5 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •La	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：263.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：254.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •ndustry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduction	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4IBC30FD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
开关能量：
630µJ（开），1.39mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/230ns
测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

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