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IRG4IBC30UD中文资料PDF规格书

IRG4IBC30UD
厂商型号

IRG4IBC30UD

参数属性

IRG4IBC30UD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

227.86 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 15:21:00

IRG4IBC30UD规格书详情

Features

• 2.5kV, 60s insulation voltage

• 4.8 mm creapage distance to heatsink

• UltraFast: Optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

• Tighter parameter distribution

• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM

outline

Benefits

• Simplified assembly

• Highest efficiency and power density

• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes

switching losses and EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30UD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    380µJ(开),160µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/91ns

  • 测试条件:

    480V,12A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ir
22+
N/A
6980
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VISHAY-威世
24+25+/26+27+
TO-220-3
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原厂封装
50000
原装现货
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