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IRG4IBC20UDPBF中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRG4IBC20UDPBF |
参数属性 | IRG4IBC20UDPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
文件大小 |
313.42 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 20:00:00 |
IRG4IBC20UDPBF规格书详情
Features
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
• Lead-Free
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号:
IRG4IBC20UDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,6.5A
- 开关能量:
160µJ(开),130µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
39ns/93ns
- 测试条件:
480V,6.5A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220AB 整包
- 描述:
IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
10750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
1000 |
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询价 | ||
IR |
21+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
11+ |
TO-220F |
31250 |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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TO220F |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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FULLPAK220COPAK |
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IR |
07+/08+ |
TO-220-3 |
247 |
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IR |
TO-220F |
265209 |
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