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IRG4IBC20KD中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRG4IBC20KD |
| 参数属性 | IRG4IBC20KD 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 文件大小 |
199.67 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 19:09:00 |
IRG4IBC20KD规格书详情
Features
• High switching speed optimized for up to 25kHz
with low VCE(on)
• Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-220 FULLPAK
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
maximizing the power density of the system
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.
Minimized recovery characteristics reduce noise EMI
• Designed to exceed the power handling capability of
equivalent industry-standard IGBTs
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC20KD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
- 开关能量：
340µJ（开），300µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
54ns/180ns
- 测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
PG-TO220-FP
- 描述：
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 220F |
161208 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
56000 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
IR |
TO-220F |
68500 |
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IR |
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TO-220 |
2000 |
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IR |
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NA/ |
51500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IR/International Rectifier/国 |
21+ |
TO-220 |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IR |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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Infineon Technologies |
21+ |
TO220AB FullPak |
13880 |
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IR |
2022 |
TO-220F |
80000 |
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