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IRG4P254S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR

Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandoperatingfrequenciesupto10kHz •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Generation4IGBTsofferh

IRF

International Rectifier

IRG4P254S

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4P254S

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 250V 98A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRG4P254SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandoperatingfrequenciesupto10kHz •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-247ACpackage •Lead-Free Benefits •Generation4

IRF

International Rectifier

IRG4P254SPBF

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 250V 98A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4P254S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,55A

  • 开关能量:

    380µJ(开),3.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/270ns

  • 测试条件:

    200V,55A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 250V 98A 200W TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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原厂封装
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原装现货假一罚十
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更多IRG4P254S供应商 更新时间2024-9-20 8:00:00