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IRG4PC50S	文件：164.62 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.28V @VGE=15V,IC=41A Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50SDPBF	文件：385.89 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE StandarddSpeedCoPackIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50S-P	文件：151.16 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalentindustry-standardGeneration3IRIGBTs Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequen	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：982.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR VCES=600V VCE(on)typ.=1.28V @VGE=15V,IC=41A Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50SPBF_15	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50SDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4PC50SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
G4PC50F	文件：146.41 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystandard	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PC50FD	文件：211.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PC50U	文件：147.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystan	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PC50UD	文件：213.92 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-pack	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PC50W	文件：157.32 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.30V,@Vge=15V,Ic=27A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC (powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50F	文件：146.41 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystandard	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50FD	文件：211.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC50FD	文件：343.9 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.6V@IC=39A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·LowConductionLoss APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PC50FD-EPBF	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRG4PC50S
制造商：
International Rectifier
功能描述：
IGBT TO-247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRG4PC50S	IR	17+	TO-247	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IRG4PC50S	IR	05+	TO-247	6800		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRG4PC50S	IR	15+	TO-247	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	IRG4PC50S	IR	23+	TO-3P	18000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRG4PC50S	IR	23+	TO-3P	9896		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRG4PC50S	IR	2017+	TO-3P	65895	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRG4PC50S	IR	23+	TO-247	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多IRG4PC50S供应商更新时间2024-5-16 14:00:00

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