| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220F |
161189 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
50 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220F |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO-220F |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220F |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ADILFCSP10 |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-220F |
50 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB FullPak |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB FullPak |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IRTO-220FullPak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220F |
50 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-220F |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220F |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-220F |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB FullPak |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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irN/A |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220F |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
IRG4IBC30FD采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4IBC30FD图片
IRG4IBC30FD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4IBC30FD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4IBC30FD-103制造商:International Rectifier 功能描述:600V 31.000A FULLCOPAK 220 / IGBT : JA /
IRG4IBC30FDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRG4IBC30FD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 开关能量：
630µJ（开），1.39mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/230ns
- 测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
PG-TO220-FP
- 描述：
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
