| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220F |
161177 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220F |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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250 |
12+ |
TO-220FP |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220FP |
250 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INTERNATIONALRECTIFIERNA |
2229 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220F |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRTO-220FP |
250 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
17 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-220F |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220F |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220F |
11560 |
15+ |
全新原装,现货库存,长期供应 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
23500 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220FP |
250 |
12+ |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IRTO-220F |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-220F |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220F |
9000 |
19+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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INTERNATIONALRECTIFIERNA |
25630 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-2F |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220F |
161521 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220F |
161189 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRG4IBC30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4IBC30图片
IRG4IBC30KDPBF价格
IRG4IBC30KDPBF价格：￥10.3776品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4IBC30KDPBF多少钱，想知道IRG4IBC30KDPBF价格是多少？参考价：￥10.3776。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4IBC30KDPBF批发价格及采购报价，IRG4IBC30KDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4IBC30KDPBF报价。
IRG4IBC30FD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4IBC30F制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30FD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4IBC30FD-103制造商:International Rectifier 功能描述:600V 31.000A FULLCOPAK 220 / IGBT : JA /
IRG4IBC30FDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4IBC30KD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4IBC30KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4IBC30S功能描述:IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4IBC30SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4IBC30UD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4IBC30UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
