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IRG4BC15UD-L	文件：210.62 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialApplications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-L	文件：315.41 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrial	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-L	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 49W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC15UD-LPBF	文件：315.41 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrial	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 49W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC15MD	文件：256.399 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.88V,@Vge=15V,Ic=8.6A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTco-packagedwithultra-soft-recoveryanti-paralleldiodes •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialapplications •Offershighesteffic	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15MDPBF	文件：261.29 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTco-packagedwithultra-soft-recoveryanti-paralleldiodes •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialapplications •Offers	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD	文件：255.45 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.02V,@Vge=15V,Ic=7.8A) Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialApplications •HighnoiseimmunePositiveOnlygated	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UDPBF	文件：272.8 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UDPBF	文件：263.65 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialApplications •Highnoiseimmune	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-S	文件：315.41 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIOD UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrial	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-S	文件：210.62 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.02V,@Vge=15V,Ic=7.8A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialApplications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-SPBF	文件：315.41 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIOD UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrial	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC15UD-SPBF	文件：324.38 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4BC15UD-L
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，7.8A
开关能量：
240µJ（开），260µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/160ns
测试条件：
480V，7.8A，75 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT 600V 14A 49W TO262

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