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IRG4BH20K-LPBF	文件：298.36 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A ) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BH20K-LPBF	文件：337.23 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BH20K-LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 11A 60W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BH20K-LPBF_15	文件：337.23 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BH20K-L	文件：167.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BH20K-S	文件：165.18 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BH20K-S	文件：345.03 Kbytes Page：3 Pages	TrenchField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4BH20K-SPBF	文件：265.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BH20K-SPBF	文件：255.65 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4BH20K-LPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.3V @ 15V，5A
开关能量：
450µJ（开），440µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/93ns
测试条件：
960V，5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT 1200V 11A 60W TO262

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