| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
328 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO-220-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
328 |
23+ |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologiesTO-220AB |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220 |
3000 |
20+ |
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IRG4BC15UDPBF价格
IRG4BC15UDPBF价格：￥7.4220品牌：International
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IRG4BC15UD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC15UD功能描述:DIODE IGBT 600V 14A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC15UD-L功能描述:DIODE IGBT 600V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC15UD-LPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC15UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC15UD-S功能描述:DIODE IGBT 600V 14A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC15UD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC15UD-STRL功能描述:DIODE IGBT 600V 5.5A COPAK D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC15UDSTRLP功能描述:IGBT 模块 600V 7.800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC15UD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，7.8A
- 开关能量：
240µJ（开），260µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/160ns
- 测试条件：
480V，7.8A，75 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 14A 49W TO220AB
