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IRG4BC30W-STRLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRG4BC30S-S	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30S-SL	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30U-S	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30U-SL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30USTRL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30USTRR	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30W	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30W	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30F	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30F	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30FD	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC30W-STRLP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
开关能量：
130µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/99ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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