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IRG4BC30FDPBF	文件：3.17753 Mbytes Page：11 Pages	FastCoPack1GBT(VCES=600V,VCE(on)typ.=1.59V,VGE=15V,IC=17A) FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythan	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG4BC30FD-S	文件：1.25649 Mbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultral	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.17757 Mbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30FPBF	文件：311 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30FPBF	文件：218.21 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Generatio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30F-STRLP	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30K	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：321.45 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEShortCircuitRatedUltraFast1GBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packag	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KDS	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-S	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：210.45 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR ShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC30W-STRLP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
开关能量：
130µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/99ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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