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IRG4BC30KD-S	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30KD-SPBF_15	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30S-S	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30S-SL	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30U-S	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30U-SL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30USTRL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4BC30USTRR	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30W	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC30W	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC30F	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRG4BC30KD-S
制造商：
International Rectifier
功能描述：
IGBT D2-PAK

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更多IRG4BC30KD-S供应商更新时间2024-6-15 15:30:00

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