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IRFZ44	文件：64.28 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseinswitchedmodepowe	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRFZ44	文件：100.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ44	文件：197.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFZ44	文件：1.4928 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversiallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44	文件：792.65 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare R	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44	文件：1.54577 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFZ44	文件：665.59 Kbytes Page：2 Pages	Advanced Power MOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFZ44	文件：442.92 Kbytes Page：2 Pages	45 Ampere Typical N-Channel Trench Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFZ44	文件：912.37 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFZ44	文件：600.9 Kbytes Page：2 Pages	45 Ampere Typical N-Channel Trench Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFZ44	文件：847.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFZ44	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IRFZ44	文件：1.62129 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44_V02	文件：792.65 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare R	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44CN	文件：121.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridgecircuitswherediodespeedandcommutatingsafeoperatingareasarecriticalandofferadditionalsafetymargina	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFZ44E	文件：96.06 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A) VDSS=60V RDS(on)=0.023Ω ID=48A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesigntha	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ44EL	文件：163.26 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ44ELPBF	文件：230.61 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ44ELPBF	文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRFZ44
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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