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深圳市坤融电子科技有限公司

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IRFZ44E

INFINEON/英飞凌TO-220

3520

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市智连鑫科技有限公司

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IRFZ44ESTRLPBF

INFINEONTO-263-3

8000

23+

只做原装正品,假一罚十

深圳市科恒伟业电子有限公司

2年 留言
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IRTO220

8550

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO220

20

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO220

20

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)D2PAK

8357

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市福田区晶康业电子商行

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IRTO-263

800

20+

全新原装,价格优势

深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRFZ44E

IRTO-220

9600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRTO-220

38900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市金芯世纪电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

100000

22+

代理渠道/只做原装/可含税

深圳市科恒伟业电子有限公司

11年 留言
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IRTO-220

9852

1822+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市博浩通科技有限公司

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IRTO-220AB

8600

23+

全新原装现货

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRTO-220

35890

23+

瀚佳科技(深圳)有限公司

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    李先生李小姐

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    深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室

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IRTO-220AB

16800

2020+

绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?

深圳兆威电子有限公司

6年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-220

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市环球伟业电子有限公司

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    深圳市龙岗区坂田街道中兴路143号鸿和达大厦509

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IR/International Rectifier/国TO-220

100

21+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO-220

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳廊盛科技有限公司

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IRTO-220

80000

2022

原装现货,OEM渠道,欢迎咨询

深圳市吉利鑫科技发展有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

10000

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绝对原装现货热卖

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IRFZ44E功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFZ44E-004HR制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube

IRFZ44EHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk

IRFZ44EL功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFZ44EL-103HR制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube

IRFZ44ELHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Bulk

IRFZ44ELPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;TO-262;PD 110W;VGS +/-20V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 48A TO262 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 60 V 110 W 60 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262-3

IRFZ44EPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFZ44ES功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFZ44ESPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube