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IRFZ48RPBF	文件：167.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ48RPBF	文件：1.06484 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFZ48RPBF

文件：167.17 Kbytes

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HEXFET짰 Power MOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFZ48RPBF

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Power MOSFET

DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext

VishayVishay Siliconix

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IRFZ48RPBF

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Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

详细参数

型号：
IRFZ48RPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFZ48RPBF供应商更新时间2024-6-4 14:14:00

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